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열 보호에 안으로 건축되는 지적인 실행 유형 반도체 계전기

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열 보호에 안으로 건축되는 지적인 실행 유형 반도체 계전기

중국 열 보호에 안으로 건축되는 지적인 실행 유형 반도체 계전기 협력 업체

큰 이미지 :  열 보호에 안으로 건축되는 지적인 실행 유형 반도체 계전기

제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
브랜드 이름: Noker
인증: ISO9001,CE
모델 번호: SAM40

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 1 세트
가격: To be discussed later
포장 세부 사항: 출하 포장
배달 시간: 5-8 일 일
지불 조건: L / C, T / T, 웨스턴 유니온
공급 능력: 달 당 300 세트
상세 제품 설명
고립: 광전자적인 고립 제어 모드: 전위차계, 4--20mA, 0--5VDC
현재 범위: 5--200A 표시: 붙박이 표시
RC 흡수 단위: 붙박이 RC 흡수 단위 사이리스터: 높은 dv/dt 사이리스터
하이 라이트:

브리지 정류기 모듈

,

사이리스터 단위

지적인 실행 유형 반도체 계전기 붙박이 과전압에 현재 과열 보호

 

특징

 

1. 현재 범위: 8개의 0 - 1 5 0 A @ 4 0개 - 4개의 8개의 0 볼트 A.C.

2. 최고봉 전압: 4개의 8개의 0 볼트 A.C.

3. Inglass 보호: IP20

4.Control 형태: DC 통제

 

신청

 

열 보호에 안으로 건축되는 지적인 실행 유형 반도체 계전기

도표

열 보호에 안으로 건축되는 지적인 실행 유형 반도체 계전기

모수

 

모형 SAM4080D (OC) SAM40100D (OC) SAM40120D (OC) SAM40150D (OC)
출력 매개변수
칩 현재 (아) 100 120 140 160
짐 현재 (아) 80 100 120 150
전압 범위 (Vrms) 40---480VAC
떨어져 국가 누설 (mArms) <5
떨어져 국가 dv/dt (V/us) >1000
기간 큰 파도 현재 (Apk) 810/895 1010/1120  1203/1280 1430/1550
에 국가 전압 (Vrms) <1.3
내열성 (°C/W) 0.64 0.51 0.42 0.34
무게 (g) 181 186 195 210
비 저항 짐 0.1--48A 0.1--60A 0.1--72A 0.1--90A
저항 짐 0.1--80A 0.1--100A 0.1--120A 0.1--150A
입력 모수
전압 범위를 통제하십시오 4-32VDC
전압에 4VDC
전압 떨어져 1VDC
최소한도 입력 현재 (mA) 7mA
최대 입력 현재 (mA) 12mA
입력 임피던스 >100kΩ
오프닝 (Ms)의 시간 1/2 주기
다른 모수
절연제 전압 2500VAC 1min
절연 저항 (500VDC) 10MΩ
최대 입출력 수용량 10pF
일 온도 -40°C-80°C
표시 LED 표시

 

차원

 

열 보호에 안으로 건축되는 지적인 실행 유형 반도체 계전기

 

선적과 포장

 

열 보호에 안으로 건축되는 지적인 실행 유형 반도체 계전기

연락처 세부 사항
Xi'an Noker Electric Co.,Ltd.

담당자: Sales Manager

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